STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret ST13007 TO-220 NPN

STMICROELECTRONICS

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STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret ST13007 TO-220 NPN Schalt-Leistungstransistoren BU_, MJE_,Technische Daten: Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 8 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220 · Kollektor Reststrom I(CES): 10 µA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 400 V · Leistung (max) P(TOT): 80 W · Montageart: Durchführungsloch