STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret MJE340 SOT-32-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

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STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret MJE340 SOT-32-3 Anzahl Kanäle 1 NPN TransistorTechnische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 30 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 50 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-32-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): STM · Kollektor Reststrom I(CES): 100 µA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 300 V · Leistung (max) P(TOT): 20.8 W · Montageart: Durchführungsloch · VCE Sättigung (max.): 500 mV