Samsung 990 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND
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Samsung SSD 1T 990 MZ-V9V1T0BW
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Specifiche tecniche
Caratteristiche
- Versione di NVMe
- 2.0
- Algoritmi di sicurezza supportati
- 256-bit AES, TCG Opal 2.0
- Capacità SSD
- 1 TB
- Dimensione SSD
- M.2
- Interfaccia
- PCI Express 4.0
- NVMe
- Sì
- Tipo memoria
- V-NAND
- Componente per
- PC
- criptaggio hardware
- Sì
- Dimensioni dell'unità SSD M.2
- 2280 (22 x 80 mm)
- Velocità di lettura
- 7150 MB/s
- Velocità di scrittura
- 6450 MB/s
- Lettura casuale (4KB)
- 700000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
- Scrittura casuale (4KB)
- 1100000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
- Linee dati dell'interfaccia PCI Express
- x4
- Supporto di DevSIp (standby del dispositivo)
- Sì
- Revisione PCI Express CEM
- 4.0
- Supporto S.M.A.R.T.
- Sì
- Supporto TRIM
- Sì
- Tempo medio tra guasti (MTBF)
- 1500000 h
Gestione energetica
- Tensione di esercizio
- 3,3 V
- Consumo di energia (in lettura)
- 4 W
- Consumo di energia (in scrittura)
- 3,7 W
- Consumo energetico (inattivo)
- 0,055 W
- Consumo di corrente DevSlp (modalità di attesa)
- 3 mW
Dimensioni e peso
- Larghezza
- 80,2 mm
- Profondità
- 2,38 mm
- Altezza
- 22,1 mm
Dati su imballaggio
- Tipo di imballo
- Scatola
Condizioni ambientali
- Intervallo temperatura di funzionamento
- 0 - 70 °C
- Shock di funzionamento
- 1500 G
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