Ixys Ixfq60n50p3 Mosfet 1 Canale N 1040 W To-3p

IXYS

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Dettagli tecnici C(ISS) 6250 pF C(ISS) Tensione riferimento 25 V Caratteristiche (transistor) Canale N Caratteristiche Transistor Standard Case (semiconduttori) TO-3P I(d) 60 A Metodo di montaggio Foro passante Numero canali 1 Potenza (max) P(TOT) 1040 W Q(G) 96 nC Q(G) Tensione di riferimento 10 V R(DS)(on) 100 mΩ R(DS)(on) Corrente di riferimento 30 A R(DS)(on) Tensione di riferimento 10 V Serie (semiconduttori) HiPerFET™, Polar3™ Sigla produttore (componenti) IXY Temperatura d'esercizio (min.) (n.) -55 °C Temperatura di esercizio (max.) +150 °C Tensione di interruzione U(BR) (DSS) 500 V U(DSS) 500 V U(GS)(th) Corrente di riferimento max. 4 mA U(GS)(th) max. 5 V Requisiti di sistema null