Infineon Technologies IRFR3910PBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 79W TO-252AA
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Infineon Technologies IRFR3910PBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 79 W TO-252AA INFI SMD-Leistungs-MOSFETs gegurtet IRFRTechnische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 100 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Gehäuseart (Halbleiter): TO-252AA · I(d): 16 A · Leistung (max) P(TOT): 79 W · Montageart: Durchführungsloch · R(DS)(on): 0.115 Ω
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