Infineon Technologies IPW60R099C6 MOSFET 1 N-Kanal 278W TO-247
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Infineon Technologies IPW60R099C6 MOSFET 1 N-Kanal 278 W TO-247 INFINEON Leistungs-MOSFETs IPW_, IPZ_ TOTechnische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 600 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · I(d): 37.9 A · Leistung (max) P(TOT): 278 W · Montageart: Durchführungsloch · R(DS)(on): 0.099 Ω
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