Diotec Transistor (BJT) - diskret BC849B SOT-23 NPN

Diotec

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Diotec Transistor (BJT) - diskret BC849B SOT-23 NPN BJT, SOT-23, 30V, 100mA, NPNTechnische Daten: Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 290 · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 30 V · Leistung (max) P(TOT): 0.25 W · Montageart: Oberflächenmontage · Transitfrequenz f(T): 100 MHz · VCE Sättigung (max.): 600 mV · Weitere technische Daten: Typ: SMDGehäuse: SOT-23Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 30 VDC Kollektorstrom - IC: 100 mAPolarität - pol: NPNSperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °CVerlustleistung - Ptot: 0.250 WKollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 290VCE: 5 VIC: 2 mAKollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 600 mVIC: 100 mAIB: 5 mATransitfrequenz - ft: 300 MHzIC: 10 mAVCE: 5 Vf: 100 MHz