Samsung 990 EVO 2 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

Samsung 990 EVO 2 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

Samsung

Évaluations: 5.0/5 (6)

EUR 365.13 Il y a 2 offres pour ce produit.

Disque SSD Interne 990 EVO 2 To par Samsung Profitez d`un espace de stockage multicouches exceptionnel avec le Disque SSD Interne 990 EVO 2 To produite Samsung. Ce disque SSD de taille M2 et connecteurs PCI-E 4.0 4x, offre une utilisation idéale pour les jeux, le montage vidéo et bien d`autres activités gourmandes en espace de stockage. Avec une capacité d`écriture maximale de 4200 Mo/s et une vitesse de lecture maximale de 5000 Mo/s, ne ralentissez jamais votre rythme de travail ou de jeu. Endurance et Performance Le disque SSD Interne 990 EVO 2 To de Samsung vous garantit une endurance de 1 500 000 heures. Alliée à une technologie NVMe, ce SSD M.2 vous offre une fluidité de performance dans le temps, réduisant le temps de chargement et accélérant le transfert de données. De plus, il assure une performance de 800000 IOPS en écriture et 700000 IOPS en lecture, garantissant une réponse rapide et efficace dans toutes les situations. Fiabilité Samsung Samsung est reconnu pour l`efficacité et la fiabilité de ses produits dans le domaine technologique. Avec le Disque SSD Interne 990 EVO 2 To, bénéficiez de la qualité d`une mémoire TLC (Triple Level Cell) qui améliore non seulement les performances de votre appareil, mais aussi sa durée de vie. Ce SSD interne est l`alternative idéale pour donner un coup de boost à votre ordinateur ou à votre console.

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  • Pixmania Inconnue
    EUR 365.13
  • ManoMano Inconnue
    EUR 418.20

Caractéristiques techniques

Caractéristiques

Version NVMe
2.0
Algorithme de sécurité soutenu
256-bit AES
Capacité du Solid State Drive (SSD)
2 To
Facteur de forme SSD
M.2
Interface
PCI Express 4.0
NVMe
Oui
Type de mémoire
V-NAND TLC
composant pour
PC
Le chiffrement matériel
Oui
Taille du SSD M.2
2280 (22 x 80 mm)
Vitesse de lecture
5000 Mo/s
Vitesse d'écriture
4200 Mo/s
Lecture aléatoire (4KB)
700000 IOPS
Écriture aléatoire (4KB)
800000 IOPS
Flux de données d'interface PCI Express
x4
Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif)
Oui
Révision CEM PCI Express
4.0
Support S.M.A.R.T.
Oui
Support TRIM
Oui
Temps moyen entre pannes
1500000 h
Classe TBW
1200

Puissance

Tension de fonctionnement
3,3 V
Consommation électrique (Lecture)
5,5 W
Consommation électrique (Ecriture)
4,7 W
Consommation d 'énergie (en mode veille)
0,005 W
Consommation électrique (idle)
0,06 W
Consommation électrique DevSlp (mode veille)
5 mW

Poids et dimensions

Largeur
80 mm
Profondeur
2,38 mm
Hauteur
22 mm
Poids
9 g

Informations sur l'emballage

Type d'emballage
Boîte

Conditions environnementales

Température d'opération
0 - 70 °C
Température hors fonctionnement
-40 - 85 °C
Humidité relative de fonctionnement (H-H)
5 - 95%
Taux d'humidité relative (stockage)
5 - 95%
Vibrations hors fonctionnement
20 G
Choc durant le fonctionnement
1500 G
Choc hors fonctionnement
1500 G

Autres caractéristiques

Période de garantie
5 année(s)

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