Infineon Technologies IRF7343PBF-GURT MOSFET 2 Canal N, Canal P 2.0 W SO-8

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MOSFET de puissance CMS INFI Get IRF_Données techniques : I(d) : 4.7 A · Nombre de canaux : 2 · Puissance (max) P(TOT) : 2.0 W · R(DS)(on) : 0.17 Ω · Tension de rupture U(BR) (DSS) : 55 V · Type (transistors) : Canal N, Canal P · Type de boîtier (semi-conducteur) : SO-8 · Type de montage : montage en saillie