Infineon Technologies IRF5210SPBF-GURT MOSFET 1 Canal P 170 W D2PAK

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MOSFET de puissance CMS INFI Get IRF_Données techniques : I(d) : -38 A · Nombre de canaux : 1 · Puissance (max) P(TOT) : 170 W · R(DS)(on) : 0.06 Ω · Tension de rupture U(BR) (DSS) : -100 V · Type (transistors) : Canal P · Type de boîtier (semi-conducteur) : D2PAK · Type de montage : montage en saillie