ON Semiconductor FDS8858CZ MOSFET 1 Canal N, Canal P 900 mW SOIC-8

ON Semiconductor

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Description générale Le MOSFET FDS8858CZ de ON Semiconductor est un transistor à effet de champ de type Canal N et Canal P, conçu pour des applications nécessitant une puissance maximale de 900 mW. Ce composant est encapsulé dans un boîtier SOIC-8, idéal pour un montage en surface. Spécifications techniques C(ISS) : 1205 pF I(d) : 8.6 A, 7.3 A Puissance (max) P(TOT) : 900 mW Q(G) : 24 nC Tension de référence Q(G) : 10 V R(DS)(on) : 17 mΩ Température de fonctionnement (max.) : +150 °C Température de fonctionnement (min.) : -55 °C Tension de rupture U(DSS) : 30 V U(GS)(th) : 3 V Courant de référence max. : 250 µA Compatibilité et accessoires Type de boîtier : SOIC-8 Type de FET : Canal N, Canal P Série : PowerTrench® Utilisation Ce MOSFET est idéal pour des applications nécessitant un contrôle de puissance efficace, notamment dans les circuits de commutation et d'amplification.