STMicroelectronics STP11NM60ND MOSFET 1 N-Kanal 90W TO-220
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STMicroelectronics STP11NM60ND MOSFET 1 N-Kanal 90 W TO-220 STM Leistungs-MOSFETs STP_ TO220Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 600 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220 · I(d): 10 A · Leistung (max) P(TOT): 90 W · Montageart: Durchführungsloch · R(DS)(on): 0.45 Ω
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