ON Semiconductor HF-Transistor (BJT) MMBTH81 TO-236-3 Anzahl Kanäle 1 PNP
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ON Semiconductor HF-Transistor (BJT) MMBTH81 TO-236-3 Anzahl Kanäle 1 PNP TransistorTechnische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): 50 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 60 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-236-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 20 V · Leistung (max) P(TOT): 225 mW · Montageart: Oberflächenmontage · Transitfrequenz f(T): 600 MHz · VCE Sättigung (max.): 500 mV
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