Infineon Technologies IRL2910SPBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 200W D2PAK
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Infineon Technologies IRL2910SPBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 200 W D2PAK INFI SMD-Leistungs-MOSFETs gegurtet IRF_Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 100 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Gehäuseart (Halbleiter): D2PAK · I(d): 55 A · Leistung (max) P(TOT): 200 W · Montageart: Oberflächenmontage · R(DS)(on): 0.04 Ω
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