Infineon Technologies IRF7316PBF-GURT MOSFET 2 P-Kanal 2.0W SO-8
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Infineon Technologies IRF7316PBF-GURT MOSFET 2 P-Kanal 2.0 W SO-8 INFI SMD-Leistungs-MOSFETs gegurtet IRF_Technische Daten: Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): P-Kanal · Gehäuseart (Halbleiter): SO-8 · Leistung (max) P(TOT): 2.0 W · Montageart: Oberflächenmontage · R(DS)(on): 0.098 Ω
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