Infineon Technologies IRF5305PBF MOSFET 1 P-Kanal 110W TO-220AB

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Infineon Technologies IRF5305PBF MOSFET 1 P-Kanal 110 W TO-220AB MOSFETTechnische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 55 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): P-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +175 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 1200 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · I(d): 31 A · Leistung (max) P(TOT): 110 W · Montageart: Durchführungsloch · Q(G): 63 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on): 60 mΩ · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 16 A · Serie (Halbleiter): HEXFET® · Transistor-Merkmal: Standard · U(DSS): 55 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 4 V