Infineon Technologies BSP295 MOSFET 1 N-Kanal 1.8W SOT-223

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Infineon Technologies BSP295 MOSFET 1 N-Kanal 1.8 W SOT-223 INFINEON SMD-Leistungs-MOSFETs BSP_ SOT2Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 60 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · I(d): 1.80 A · Leistung (max) P(TOT): 1.8 W · Montageart: Oberflächenmontage · R(DS)(on): 0.3 Ω