Diotec Transistor (BJT) - diskret 2N3906 TO-92 PNP

Diotec

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Diotec Transistor (BJT) - diskret 2N3906 TO-92 PNP BJT, TO-92, 40V, 200mA, PNPTechnische Daten: Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): 200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92 · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 40 V · Leistung (max) P(TOT): 0.625 W · Montageart: Durchsteckmontage · Transitfrequenz f(T): 100 MHz · VCE Sättigung (max.): 400 mV · Weitere technische Daten: Typ: Wire-leadGehäuse: TO-92Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 40 VDC Kollektorstrom - IC: 200 mAPolarität - pol: PNPSperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °CVerlustleistung - Ptot: 0.625 WKollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 100VCE: 1 VIC: 10 mAKollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 400 mVIC: 50 mAIB: 5 mATransitfrequenz - ft: 250 MHzIC: 10 mAVCE: 20 Vf: 100 MHz