STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret MJE350 SOT-32-3 Anzahl Kanäle 1 PNP

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STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret MJE350 SOT-32-3 Anzahl Kanäle 1 PNP TransistorTechnische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 30 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -50 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-32-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): STM · Kollektor Reststrom I(CES): -100 µA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): -300 V · Leistung (max) P(TOT): 20.8 W · Montageart: Durchführungsloch · VCE Sättigung (max.): -500 mV