STMicroelectronics STD80N6F6 MOSFET 1 N-Kanal 120 W TO-252
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STMicroelectronics STD80N6F6 MOSFET 1 N-Kanal 120 W TO-252 STM SMD-Leistungs-MOSFETs gegurtet STD_Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 60 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Gehäuseart (Halbleiter): TO-252 · I(d): 80 A · Leistung (max) P(TOT): 120 W · Montageart: Oberflächenmontage · R(DS)(on): 0.005 Ω
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