STMicroelectronics STB80NF10T4 MOSFET 1 N-Kanal 300W D2PAK

STMICROELECTRONICS

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STMicroelectronics STB80NF10T4 MOSFET 1 N-Kanal 300 W D2PAK STM SMD-Leistungs-MOSFETs gegurtet STB_Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 100 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Gehäuseart (Halbleiter): D2PAK · I(d): 80 A · Leistung (max) P(TOT): 300 W · Montageart: Oberflächenmontage · R(DS)(on): 0.015 Ω