STMicroelectronics STB18N65M5 MOSFET 1 N-Kanal 110 W D2PAK

STMICROELECTRONICS

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STMicroelectronics STB18N65M5 MOSFET 1 N-Kanal 110 W D2PAK STM SMD-Leistungs-MOSFETs gegurtet STB_Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 650 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Gehäuseart (Halbleiter): D2PAK · I(d): 15 A · Leistung (max) P(TOT): 110 W · Montageart: Oberflächenmontage · R(DS)(on): 0.22 Ω