ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD439G TO-126 NPN Bulk
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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD439G TO-126 NPN BulkLeistungstransistoren BD_ TO126, TO220Technische Daten: Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 4 A · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 20 µA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-126 · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 60 V · Leistung (max) P(TOT): 36 W · Montageart: Durchführungsloch · Transitfrequenz f(T): 0.003 GHz · Verpackungsart (Bauteile): Bulk
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