ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJE13007G TO-220 NPN Tube
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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJE13007G TO-220 NPN TubeSchalt-Leistungstransistoren BU MJETechnische Daten: Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 8 A · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 µA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220 · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 400 V · Leistung (max) P(TOT): 80 W · Montageart: Durchführungsloch · Transitfrequenz f(T): 0.014 GHz · Verpackungsart (Bauteile): Tube
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