ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N6491G TO-220 PNP Tube
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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N6491G TO-220 PNP TubeLeistungstransistoren 2N D MJ TIP_Technische Daten: Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): 15 A · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 20 µA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220 · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 80 V · Leistung (max) P(TOT): 75 W · Montageart: Durchführungsloch · Transitfrequenz f(T): 0.005 GHz · Verpackungsart (Bauteile): Tube
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