ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJE15030G TO-220 NPN Tube
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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJE15030G TO-220 NPN TubeLeistungstransistoren 2N D MJ TIP_Technische Daten: Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 8 A · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 20 µA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220 · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 150 V · Leistung (max) P(TOT): 50 W · Montageart: Durchführungsloch · Transitfrequenz f(T): 0.030 GHz · Verpackungsart (Bauteile): Tube
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