ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N4403BU TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 PNP
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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N4403BU TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 PNP TransistorTechnische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -600 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): -40 V · Leistung (max) P(TOT): 625 mW · Montageart: Durchführungsloch · Transitfrequenz f(T): 200 MHz · VCE Sättigung (max.): -750 mV
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