ON Semiconductor FDS8858CZ MOSFET 1 N-Kanal, P-Kanal 900mW SOIC-8

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ON Semiconductor FDS8858CZ MOSFET 1 N-Kanal,P-Kanal 900 mW SOIC-8 MOSFETTechnische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 30 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal,P-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 1205 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 15 V · Gehäuseart (Halbleiter): SOIC-8 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · I(d): 8.6 A,7.3 A · Leistung (max) P(TOT): 900 mW · Montageart: Oberflächenmontage · Q(G): 24 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on): 17 mΩ · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 8.6 A · Serie (Halbleiter): PowerTrench® · Transistor-Merkmal: Logic Level Gate · U(DSS): 30 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 3 V