Infineon Technologies SPP20N60C3 MOSFET 1 N-Kanal 208W TO-220

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Infineon Technologies SPP20N60C3 MOSFET 1 N-Kanal 208 W TO-220 INFINEON Leistungs-MOSFETs SPA_, SPP_ TOTechnische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 650 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220 · I(d): 20.70 A · Leistung (max) P(TOT): 208 W · Montageart: Durchführungsloch · R(DS)(on): 0.19 Ω