Infineon Technologies SPA11N80C3 MOSFET 1 N-Kanal 34W TO-220-FULLPAK
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Infineon Technologies SPA11N80C3 MOSFET 1 N-Kanal 34 W TO-220-FULLPAK INFINEON Leistungs-MOSFETs SPA_, SPP_ TOTechnische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 800 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220-FULLPAK · I(d): 11 A · Leistung (max) P(TOT): 34 W · Montageart: Durchführungsloch · R(DS)(on): 0.45 Ω
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