Infineon Technologies IRFR1018EPBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 110 W TO-252AA

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Infineon Technologies IRFR1018EPBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 110 W TO-252AA INFI SMD-Leistungs-MOSFETs gegurtet IRFRTechnische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 60 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Gehäuseart (Halbleiter): TO-252AA · I(d): 56 A · Leistung (max) P(TOT): 110 W · Montageart: Durchführungsloch · R(DS)(on): 0.0084 Ω