Infineon Technologies IRFL4105PBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 2.1W SOT-223

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Infineon Technologies IRFL4105PBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 2.1 W SOT-223 INFI SMD-Leistungs-MOSFETs gegurtet IRFLTechnische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 55 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · I(d): 5.2 A · Leistung (max) P(TOT): 2.1 W · Montageart: Oberflächenmontage · R(DS)(on): 0.045 Ω