Infineon Technologies IPP65R095C7 MOSFET 1 N-Kanal 128 W TO-220
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Infineon Technologies IPP65R095C7 MOSFET 1 N-Kanal 128 W TO-220 INFINEON Leistungs-MOSFETs IPA_, IPP_ TOTechnische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 650 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220 · I(d): 24 A · Leistung (max) P(TOT): 128 W · Montageart: Durchführungsloch · R(DS)(on): 0.095 Ω
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