Infineon Technologies FF400R12KE3HOSA1 IGBT - Modul 1200V Bulk
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Infineon Technologies FF400R12KE3HOSA1 IGBT - Modul 1200 V BulkINFINEON IGBT-/Dioden-Module BSM_, FF_,Technische Daten: Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 600 ns · Collector-Strom I(C): 580 A · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 300 ns · Kollektor-Ermitter-Sperrspannung U(CES): 1200 V · Montageart: Chassis · Verpackungsart (Bauteile): Bulk · Weitere technische Daten: (UGE(th)) Gate Emitter Schwellenspannung: 5,8 V · (ICpuls) Gepulster Kollektor- Strom: 800 A
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