Diotec Transistor (BJT) - diskret 2N5551 TO-92 NPN

Diotec

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Diotec Transistor (BJT) - diskret 2N5551 TO-92 NPN BJT, TO-92, 160V, 600mA, NPNTechnische Daten: Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 600 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 80 · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92 · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 160 V · Leistung (max) P(TOT): 0.625 W · Montageart: Durchsteckmontage · Transitfrequenz f(T): 100 MHz · VCE Sättigung (max.): 200 mV · Weitere technische Daten: Typ: Wire-leadGehäuse: TO-92Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 160 VDC Kollektorstrom - IC: 600 mAPolarität - pol: NPNSperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °CVerlustleistung - Ptot: 0.625 WKollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 80VCE: 5 VIC: 10 mAKollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 200 mVIC: 50 mAIB: 5 mATransitfrequenz - ft: 100 MHzIC: 10 mAVCE: 10 Vf: 100 MHz