Diotec Transistor (BJT) - diskret MPSA06 TO-92 NPN

Diotec

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Diotec Transistor (BJT) - diskret MPSA06 TO-92 NPN BJT, TO-92, 80V, 500mA, NPNTechnische Daten: Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92 · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 80 V · Leistung (max) P(TOT): 0.625 W · Montageart: Durchsteckmontage · Transitfrequenz f(T): 100 MHz · VCE Sättigung (max.): 250 mV · Weitere technische Daten: Typ: Wire-leadGehäuse: TO-92Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 80 VDC Kollektorstrom - IC: 500 mAPolarität - pol: NPNSperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °CVerlustleistung - Ptot: 0.625 WKollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 100VCE: 1 VIC: 10 mAKollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 250 mVIC: 100 mAIB: 10 mATransitfrequenz - ft: 100 MHzIC: 10 mAVCE: 2 Vf: 100 MHz