Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT3904 SOT-23 NPN

Diotec

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Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT3904 SOT-23 NPN BJT, SOT-23, 40V, 200mA, NPNTechnische Daten: Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 300 · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 40 V · Leistung (max) P(TOT): 0.35 W · Montageart: Oberflächenmontage · Transitfrequenz f(T): 100 MHz · VCE Sättigung (max.): 300 mV · Weitere technische Daten: Typ: SMDGehäuse: SOT-23Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 40 VDC Kollektorstrom - IC: 200 mAPolarität - pol: NPNSperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °CVerlustleistung - Ptot: 0.350 WKollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 300VCE: 1 VIC: 10 mAKollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 300 mVIC: 50 mAIB: 5 mATransitfrequenz - ft: 300 MHzIC: 10 mAVCE: 20 Vf: 100 MHz