Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT2222A SOT-23 NPN

Diotec

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Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT2222A SOT-23 NPN BJT, SOT-23, 40V, 600mA, NPNTechnische Daten: Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 600 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 375 · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 40 V · Leistung (max) P(TOT): 0.25 W · Montageart: Oberflächenmontage · Transitfrequenz f(T): 100 MHz · VCE Sättigung (max.): 1000 mV · Weitere technische Daten: Typ: SMDGehäuse: SOT-23Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 40 VDC Kollektorstrom - IC: 600 mAPolarität - pol: NPNSperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °CVerlustleistung - Ptot: 0.250 WKollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 375VCE: 10 VIC: 10 mAKollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 1000 mVIC: 500 mAIB: 50 mATransitfrequenz - ft: 250 MHzIC: 20 mAVCE: 20 Vf: 100 MHz