Diotec Transistor (BJT) - diskret 2N5401 TO-92 PNP

Diotec

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Diotec Transistor (BJT) - diskret 2N5401 TO-92 PNP BJT, TO-92, 150V, 600mA, PNPTechnische Daten: Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): 600 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 60 · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92 · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 150 V · Leistung (max) P(TOT): 0.625 W · Montageart: Durchsteckmontage · Transitfrequenz f(T): 50 MHz · VCE Sättigung (max.): 500 mV · Weitere technische Daten: Typ: Wire-leadGehäuse: TO-92Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 150 VDC Kollektorstrom - IC: 600 mAPolarität - pol: PNPSperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °CVerlustleistung - Ptot: 0.625 WKollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 60VCE: 5 VIC: 10 mAKollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 500 mVIC: 50 mAIB: 5 mATransitfrequenz - ft: 100 MHzIC: 10 mAVCE: 5 Vf: 50 MHz